特許

J-GLOBAL ID：200903051791941740

フォトレジストパターンの形成方法及び半導体素子

発明者： 孔 根圭 ,  李 晟求
出願人/特許権者： 株式会社ハイニックスセミコンダクター
代理人 (1件)： 荒船 博司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-360877
公開番号（公開出願番号）：特開2003-195521
出願日： 2002年12月12日
公開日（公表日）： 2003年07月09日
要約：

【要約】【課題】 被エッチング層に形成されたフォトレジストパターンの崩壊を防ぐ。【解決手段】 被エッチング層の上部(1)にフォトレジスト物質(7)を塗布する前にRelacs物質(5)を先ず塗布する。ここで、RelacsはResist Enhancement Lithography Assisted by Chemical Shrinkの略称である。Relacs物質(5)の上にフォトレジスト物質(7)を塗布したあと加熱する。このことで、フォトレジスト物質(7)とRelacs物質(5)の界面で架橋反応が発生する。よって、フォトレジスト物質(7)が被エッチング層(1)の上部に堅固に固定される。こうして現像工程等でパターンが容易に崩壊することを防ぐことができる。

請求項（抜粋）：

被エッチング層に対するフォトレジストパターンの形成方法であって、(a)被エッチング層の上部に乱反射防止膜を塗布する段階、(b)前記乱反射防止膜の上部にRelacs物質を塗布する段階、(c)前記Relacs物質の上部にフォトレジスト膜を形成して加熱する段階、及び(d)前記フォトレジスト膜を選択的に露光及び現像する段階を含むことを特徴とするフォトレジストパターンの形成方法。

IPC (4件)：

G03F 7/38 501 ,  G03F 7/033 ,  G03F 7/11 503 ,  H01L 21/027

FI (5件)：

G03F 7/38 501 ,  G03F 7/033 ,  G03F 7/11 503 ,  H01L 21/30 563 ,  H01L 21/30 574

Fターム (28件)：

2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC05 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD01 ,  2H025AD03 ,  2H025BG00 ,  2H025DA40 ,  2H025FA01 ,  2H025FA03 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  2H096AA25 ,  2H096BA20 ,  2H096CA05 ,  2H096CA06 ,  2H096DA01 ,  2H096EA03 ,  2H096EA04 ,  2H096EA05 ,  2H096EA06 ,  2H096EA07 ,  2H096FA01 ,  2H096JA02 ,  2H096JA03 ,  5F046JA22 ,  5F046PA01

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 米国特許第6383952号明細書(第3頁、第4図)
  
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-292523   出願人：三菱電機株式会社

審査官引用 (1件)

• 密着増強膜およびそれを用いたパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-050307   出願人：クラリアントジャパン株式会社