特許

J-GLOBAL ID：200903051821351790

半導体装置および半導体装置の製造方法

発明者： 宮永 良子 ,  内田 正雄 ,  高橋 邦方 ,  北畠 真 ,  楠本 修 ,  山下 賢哉 ,  橋本 浩一
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (6件)： 角田 嘉宏 ,  古川 安航 ,  西谷 俊男 ,  幅 慶司 ,  内山 泉 ,  是枝 洋介
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-168338
公開番号（公開出願番号）：特開2005-347680
出願日： 2004年06月07日
公開日（公表日）： 2005年12月15日
要約：

【課題】 MISFETのチャネル移動度を高めつつ適切な閾値電圧制御を行い得る半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 MISFET100は、ゲート電極101の少なくともゲート絶縁層16に接する第一のゲート層17が炭素を含んでいる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

ゲート電極の少なくともゲート絶縁層に接する第一のゲート層が炭素を含んでいるMISFETからなる半導体装置。

IPC (5件)：

H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49

FI (9件)：

H01L29/78 652K ,  H01L29/78 652E ,  H01L29/78 652T ,  H01L21/28 301B ,  H01L29/78 301G ,  H01L29/78 301H ,  H01L29/78 301B ,  H01L29/58 G ,  H01L29/78 658F

Fターム (64件)：

4M104AA03 ,  4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB05 ,  4M104BB36 ,  4M104BB39 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD34 ,  4M104DD35 ,  4M104DD43 ,  4M104DD65 ,  4M104DD68 ,  4M104DD78 ,  4M104EE03 ,  4M104FF13 ,  4M104GG08 ,  4M104GG09 ,  4M104GG18 ,  5F140AA00 ,  5F140AA05 ,  5F140AA26 ,  5F140AC23 ,  5F140BA02 ,  5F140BA06 ,  5F140BA16 ,  5F140BB13 ,  5F140BC12 ,  5F140BD06 ,  5F140BE07 ,  5F140BE10 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF05 ,  5F140BF11 ,  5F140BF15 ,  5F140BF16 ,  5F140BF17 ,  5F140BF20 ,  5F140BF21 ,  5F140BF26 ,  5F140BF34 ,  5F140BF38 ,  5F140BG02 ,  5F140BG28 ,  5F140BG30 ,  5F140BG31 ,  5F140BG37 ,  5F140BG38 ,  5F140BH43 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ05 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ15 ,  5F140BK05 ,  5F140BK13 ,  5F140BK21 ,  5F140BK26 ,  5F140BK29 ,  5F140BK38 ,  5F140BK39 ,  5F140CA03 ,  5F140CE02 ,  5F140CE10

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体基板および半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-227004   出願人：松下電器産業株式会社