特許

J-GLOBAL ID：200903051822948501

PTCサーミスタ材料およびその製造方法

発明者： 岡田 益男 ,  澤口 孝宏 ,  淀川 正忠 ,  松岡 大
出願人/特許権者： 岡田 益男 ,  ティーディーケイ株式会社
代理人 (1件)： 石井 陽一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-160746
公開番号（公開出願番号）：特開平9-320811
出願日： 1996年05月31日
公開日（公表日）： 1997年12月12日
要約：

【要約】【課題】 PTCR特性の発現温度や比抵抗変化幅などの諸特性を制御可能なPTCサーミスタ材料を提供する。また、通常時に大電流を流すところの回路部品に適用でき、かつその回路部品の小型化が可能なPTCサーミスタ材料を提供する。【解決手段】 SrBi4 Ti4 O15型相中にBiを主成分として含む金属相が分散された構造を有するPTCサーミスタ材料。比抵抗が急激に上昇する温度より低い温度域では電流が優先的に金属相を流れ、比抵抗が急激に上昇する温度より高い温度域では電流が優先的にSrBi4 Ti4 O15型相を流れる。PTCR効果は、金属相の融解により発現する。

請求項（抜粋）：

SrBi4 Ti4 O15型相中にBiを主成分として含む金属相が分散された構造を有するPTCサーミスタ材料。

IPC (2件)：

H01C 7/02 ,  C04B 35/46

FI (2件)：

H01C 7/02 ,  C04B 35/46 N

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体化ビスマス層状構造酸化物およびPTCサーミスタ素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-331075   出願人：ティーディーケイ株式会社