特許

J-GLOBAL ID：200903051846207588

半導体ウエハーの選別方法

発明者： 塩島 謙次 ,  重川 直輝
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 高山 道夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-023005
公開番号（公開出願番号）：特開2003-224171
出願日： 2002年01月31日
公開日（公表日）： 2003年08月08日
要約：

【要約】【課題】 ナイトライド系化合物半導体は、大きな転位密度を有し、結晶品質の悪いウエハーにアニールを行うと、シート抵抗が増加する場合があり、プロセスを開始する前に、シート抵抗が変化しないエピウエハーを非破壊に選別する必要がある。【解決手段】 半導体ウエハー表面に白色光を照射して反射光の分光測定を行い、ヘテロ界面に起因する反射率のピークが反射率スペクトルに存在するか否かを半導体ウエハーの選別基準とする。(a)と(b)は、同一の条件で成長した2枚のエピウエハー(AlGaN(18nm)/GaN(2μm)/サファイア基板)の成長後試料の反射率スペクトルを示している。波長311nm付近にAlGaNの吸収ピークがみられるサンプルAではアニール温度によるシート抵抗の上昇はなく、このようなピークがみられないサンプルBではアニール温度による顕著なシート抵抗の上昇がある。

請求項（抜粋）：

半導体ウエハー表面に白色光を照射して反射光の分光測定を行い、ヘテロ界面に起因する反射率のピークが反射率スペクトルに存在するか否かを半導体ウエハーの選別基準とすることを特徴とする半導体ウエハーの選別方法。

IPC (4件)：

H01L 21/66 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812

FI (2件)：

H01L 21/66 N ,  H01L 29/80 H

Fターム (12件)：

4M106AA01 ,  4M106AA10 ,  4M106BA04 ,  4M106CB19 ,  5F102FA09 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ10 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01