特許

J-GLOBAL ID：200903051854113347

半導体装置およびその製造方法

発明者： 藤田 繁
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 杉浦 正知 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-080316
公開番号（公開出願番号）：特開2003-282873
出願日： 2002年03月22日
公開日（公表日）： 2003年10月03日
要約：

【要約】【課題】 ゲート絶縁膜として高誘電体膜を用いた場合に、ゲート電極に用いられるp型シリコン層中のp型不純物がゲート絶縁膜を通過して下地の半導体基体に拡散するのを防止し、pチャネルMISトランジスタのしきい値電圧の変動を防止する。【解決手段】 シリコン基板1上に高誘電体膜3を形成した後、この高誘電体膜3の表面をラジカル窒素を用いて窒化することにより窒化層4を形成する。窒化層4上に、ホウ素がドープされたp型多結晶シリコン層を含むゲート電極5を形成する。高誘電体膜3およびその上の窒化層4の全体がゲート絶縁膜を構成する。この後、ゲート電極5に対して自己整合的にp+ 型のソース領域8およびドレイン領域9を形成し、pチャネルMISトランジスタを形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基体と、上記半導体基体上の高誘電体膜と、上記高誘電体膜上の窒化層とを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/316

FI (3件)：

H01L 21/316 M ,  H01L 21/316 P ,  H01L 29/78 301 G

Fターム (55件)：

5F058BA05 ,  5F058BA20 ,  5F058BD01 ,  5F058BD05 ,  5F058BD12 ,  5F058BF74 ,  5F058BF80 ,  5F058BJ01 ,  5F058BJ10 ,  5F140AA06 ,  5F140AA28 ,  5F140AB03 ,  5F140BA01 ,  5F140BC06 ,  5F140BD01 ,  5F140BD04 ,  5F140BD05 ,  5F140BE02 ,  5F140BE08 ,  5F140BE09 ,  5F140BF04 ,  5F140BF11 ,  5F140BF18 ,  5F140BF59 ,  5F140BF60 ,  5F140BG08 ,  5F140BG12 ,  5F140BG14 ,  5F140BG28 ,  5F140BG32 ,  5F140BG34 ,  5F140BG38 ,  5F140BG44 ,  5F140BG45 ,  5F140BG52 ,  5F140BG53 ,  5F140BH15 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ08 ,  5F140BJ27 ,  5F140BK02 ,  5F140BK32 ,  5F140BK34 ,  5F140BK38 ,  5F140BK39 ,  5F140CA02 ,  5F140CA03 ,  5F140CB04 ,  5F140CB08 ,  5F140CC01 ,  5F140CC03 ,  5F140CC05 ,  5F140CC07 ,  5F140CC08 ,  5F140CF04

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 改良型薄膜誘電体を使用して電界効果デバイスおよびコンデンサを製造する方法および得られるデバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-107329   出願人：ルーセントテクノロジーズインコーポレーテッド
• 拡散障壁を有するゲート誘電体を備えた半導体デバイスおよびその形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-047192   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
• MIS型電界効果トランジスタ及びこれの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-094052   出願人：株式会社東芝