特許
J-GLOBAL ID：200903071521567970

改良型薄膜誘電体を使用して電界効果デバイスおよびコンデンサを製造する方法および得られるデバイス

発明者：
グレン ビー.アラーズ

グレン ビー.アラーズ について


出願人/特許権者：
ルーセント テクノロジーズ インコーポレーテッド

ルーセント テクノロジーズ インコーポレーテッド について


代理人 (1件)： 岡部 正夫 (外11名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-107329
公開番号（公開出願番号）：特開2000-003885
出願日： 1999年04月15日
公開日（公表日）： 2000年01月07日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、改良型薄膜誘電体を使用して電界効果デバイスおよびコンデンサを製造する方法および得られるデバイスを提供する。【解決手段】 シリコン基板上に高誘電率材料の薄膜を蒸着し、構造物をプラズマに露出した後、上部電極を形成することによって電子デバイスが形成される。プラズマは誘電体/シリコン境界面の電荷トラップ密度を大きく低減する。誘電体膜は、上部電極を形成する前に窒素を含む材料によって保護されるので、電極と誘電体の相互拡散が防止されるので有利である。
請求項（抜粋）：
誘電体材料の改良型薄膜を有する電子デバイスを製造する方法であって、露出したシリコン表面を含む基板を提供するステップと、前記露出したシリコン表面上に誘電体材料の膜を蒸着するステップと、前記誘電体膜と前記シリコンの間の電荷トラップの密度を低減するために結果として得られた構造物をプラズマに露出するステップと、前記誘電体膜の上を覆う電極を形成するステップと、前記電子デバイスを完成するステップとを含む方法。
IPC (4件)：
H01L 21/283 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 29/78
FI (3件)：
H01L 21/283 C ,  H01L 27/04 C ,  H01L 29/78 301 G
引用特許：
審査官引用 (4件)
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