有機薄膜トランジスタの形成方法、及び有機薄膜トランジスタ

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-070313
公開番号（公開出願番号）：特開2007-335840
出願日： 2007年03月19日
公開日（公表日）： 2007年12月27日
要約：

【課題】塗布法によってキャリア移動度の高い有機薄膜トランジスタを形成できる有機薄膜トランジスタの形成方法、及び該形成方法によって形成される有機薄膜トランジスタを提供すること。【解決手段】有機半導体材料を含む塗布液を基板の上に供給、塗布して、乾燥させることにより成膜される有機半導体膜の端部より3μm以上、200μm以下の範囲にチャネル層を形成することを特徴とする有機薄膜トランジスタの形成方法。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

有機半導体材料を含む塗布液を基板の上に供給、塗布して、乾燥させることにより成膜される有機半導体膜の端部より3μm以上、200μm以下の範囲にチャネル層を形成することを特徴とする有機薄膜トランジスタの形成方法。

IPC (5件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 51/05 , H01L 51/30 , H01L 51/40

FI (6件)：

H01L29/78 618B , H01L29/78 618A , H01L29/28 100A , H01L29/28 250F , H01L29/28 310J , H01L29/28 250G

Fターム (39件)：

5F110AA01 , 5F110AA16 , 5F110BB01 , 5F110BB10 , 5F110CC01 , 5F110CC03 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE07 , 5F110EE08 , 5F110EE42 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF09 , 5F110FF23 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110FF30 , 5F110GG05 , 5F110GG23 , 5F110GG25 , 5F110GG26 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG42 , 5F110GG57 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK07 , 5F110HK32

引用特許：

出願人引用 (3件)

特開昭59-75205号公報
薄膜パターニング用基板
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-076979 出願人：セイコーエプソン株式会社
薄膜トランジスタの製造方法、電気光学装置、および電子機器
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-055983 出願人：セイコーエプソン株式会社

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