特許

J-GLOBAL ID：200903051903688342

有機絶縁膜材料、有機絶縁膜及びその製造方法

発明者： 長谷 陽子 ,  村山 三素 ,  江口 敏正 ,  榎 尚史
出願人/特許権者： 住友ベークライト株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-098731
公開番号（公開出願番号）：特開2000-344896
出願日： 2000年03月31日
公開日（公表日）： 2000年12月12日
要約：

【要約】【課題】 本発明は電気特性、熱特性、低吸水性に優れた有機絶縁膜材料、有機絶縁膜及び製造方法を提供する事を目的とする。【解決手段】 ポリベンゾオキサゾールとオリゴマーとを反応させた反応物からなる有機絶縁膜材料、これを用いた一般式(2)で表される構造を主構造とするポリベンゾオキサゾール樹脂層が微細孔を有してなることを特徴とする有機絶縁膜。【化2】(但し、一般式(2)中のnは2〜1000までの整数を示す。Xは4価及びYは2価の有機基を表す。)

請求項（抜粋）：

一般式(1)で表されるポリベンゾオキサゾール前駆体のカルボン酸末端とアミノ基を有するオリゴマーとを反応させた反応物からなる有機絶縁膜材料。【化1】(但し、一般式(1)中のnは2〜1000までの整数を示す。Xは4価及びYは2価の有機基を表す。)

IPC (10件)：

C08G 81/00 ,  C08F 8/30 ,  C08G 64/42 ,  C08G 73/22 ,  C08J 9/26 CEZ ,  C08J 9/26 102 ,  H01L 21/312 ,  H01L 21/768 ,  C09D 5/25 ,  C09D179/04

FI (10件)：

C08G 81/00 ,  C08F 8/30 ,  C08G 64/42 ,  C08G 73/22 ,  C08J 9/26 CEZ ,  C08J 9/26 102 ,  H01L 21/312 A ,  C09D 5/25 ,  C09D179/04 B ,  H01L 21/90 S

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体用有機絶縁膜材料及び製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-371775   出願人：住友ベークライト株式会社