特許
J-GLOBAL ID：200903097037311641
半導体用有機絶縁膜材料及び製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-371775
公開番号（公開出願番号）：特開2000-248077
出願日： 1999年12月27日
公開日（公表日）： 2000年09月12日
要約：
【要約】【課題】 本発明は電気特性、熱特性、低吸水性に優れた有機絶縁膜材料及び製造方法を提供する事を目的とする。【解決手段】 一般式(1)で表されるポリベンゾオキサゾール樹脂層が微細孔を有してなることを特徴とする有機絶縁膜材料。【化1】(但し、一般式(1)中のnは2〜1000までの整数を示す。Xは4価及びYは2価の有機基を表す。)
請求項（抜粋）：
一般式(1)で表される構造を有するポリベンゾオキサゾール樹脂層が微細孔を有してなることを特徴とする半導体用有機絶縁膜材料。【化1】(但し、一般式(1)中のnは2〜1000までの整数を示す。Xは4価及びYは2価の有機基を表す。)
IPC (5件)：
C08J 5/18
, C08G 73/22
, H01L 21/312
, C09D 5/24
, C09D179/04
C08J 5/18
, C08G 73/22
, H01L 21/312 A
, C09D 5/24
, C09D179/04 B
