特許
J-GLOBAL ID:200903051905570691

圧電基板および弾性表面波装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 前田 均 ,  西出 眞吾 ,  大倉 宏一郎
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-249364
公開番号(公開出願番号):特開2004-088631
出願日: 2002年08月28日
公開日(公表日): 2004年03月18日
要約:
【課題】高い電気機械結合係数をもち、遅いSAW速度を有する基板を用いた広帯域で小型の弾性表面波装置を提供すること。【解決手段】基板1の表面に交差指状電極2を有する弾性表面波装置10であって、前記基板1が、単結晶で構成してあり、該単結晶が、点群32に属し、Ca3 Ga2 Ge4 O14型結晶構造を有し、その主要な成分がBa、Ta、Ga、SiおよびOからなり、化学式Ba3 TaGa3 Si2 O14で表されることを特徴とする。【選択図】 図2
請求項(抜粋):
単結晶で構成してある圧電基板であって、 前記単結晶が、点群32に属し、Ca3 Ga2 Ge4 O14型結晶構造を有し、その主要な成分がBa、Ta、Ga、SiおよびOからなり、化学式Ba3 TaGa3 Si2 O14で表されることを特徴とする圧電基板。
IPC (1件):
H03H9/25
FI (1件):
H03H9/25 C
Fターム (8件):
5J097AA06 ,  5J097AA29 ,  5J097BB11 ,  5J097FF01 ,  5J097GG01 ,  5J097GG05 ,  5J097KK01 ,  5J097KK06
引用特許:
出願人引用 (2件)
  • 圧電体材料
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平9-334154   出願人:ティーディーケイ株式会社
  • 単結晶の製造方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2002-026766   出願人:ティーディーケイ株式会社
審査官引用 (2件)
  • 圧電体材料
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平9-334154   出願人:ティーディーケイ株式会社
  • 単結晶の製造方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2002-026766   出願人:ティーディーケイ株式会社

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