特許

J-GLOBAL ID：200903051920043533

ハーフトーン方式位相シフトマスク及びその修正方法並びに半導体装置の製造方法

発明者： 津▲高▼ 圭祐
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 山本 孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-163169
公開番号（公開出願番号）：特開平6-347994
出願日： 1993年06月07日
公開日（公表日）： 1994年12月22日
要約：

【要約】【目的】欠陥領域が遮光体で選択的にしかも確実に被覆され、しかもマスク修正後の転写パターン形状の所望形状との相違が実用上問題とならない、欠陥領域が修正されたハーフトーン方式位相シフトマスクを提供する。【構成】半遮光領域12及び光透過領域10を備え、半遮光領域を通過した光の位相と光透過領域を通過した光の位相とが異なるハーフトーン方式位相シフトマスク1Bは、位相、振幅透過率、あるいはそれらの両方が所定の値とは異なり、光透過領域10に隣接若しくは近接した半遮光領域12に存在する欠陥領域14を含み、且つ欠陥領域より大きい欠陥領域内の修正領域16、並びに修正領域16に隣接若しくは近接する光透過領域の一部10Aが、レジスト材料を感光させない振幅透過率を有する遮光体30で被覆されている。

請求項（抜粋）：

半遮光領域及び光透過領域を備え、該半遮光領域を通過した光の位相と光透過領域を通過した光の位相とが異なるハーフトーン方式位相シフトマスクであって、位相、振幅透過率、あるいはそれらの両方が所定の値とは異なり、光透過領域に隣接若しくは近接した半遮光領域に存在する欠陥領域を含み、且つ該欠陥領域より大きい欠陥領域内の修正領域、並びに該修正領域に隣接若しくは近接する光透過領域の一部が、レジスト材料を感光させない振幅透過率を有する遮光体で被覆されていることを特徴とするハーフトーン方式位相シフトマスク。

IPC (2件)：

G03F 1/08 ,  H01L 21/027

FI (2件)：

H01L 21/30 301 P ,  H01L 21/30 301 W

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-165353
  
• 特開平4-136854
  
• ホトマスクの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-303557   出願人：株式会社日立製作所