特許
J-GLOBAL ID:200903051926447121
相互接続用のナノスケールの金属ペーストおよび使用方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (2件):
谷 義一
, 阿部 和夫
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-554151
公開番号(公開出願番号):特表2007-527102
出願日: 2005年02月14日
公開日(公表日): 2007年09月20日
要約:
金属または金属合金粒子(好ましくは銀または銀合金)と、分散剤材料と、結合剤とを含むペーストを使用して、デバイスと基板との間に電気的、機械的、または熱的相互接続を形成する。ナノスケール粒子(すなわち、サイズが500n未満であり、最も好ましくはサイズが100nm未満であるもの)を使用することによって、金属または金属合金粒子を低温で焼結して、良好な電気的、熱的、および機械的結合を可能にするのに望ましい金属または金属合金層を形成することができ、それでも金属または金属合金層は、SiC、GaN、またはダイヤモンドに望まれるような高温での使用(例えば、ワイドバンドギャップデバイス)を可能にすることができる。さらに、マイクロメートルサイズの粒子の場合のように、稠密化した層を形成するのにかなりの圧力をかける必要がない。加えて、所望の焼結温度に到達するまで、金属粒子が絶縁されるように、結合剤を変えることができ、それによって、素早く完全な焼結を実現することが可能になる。
請求項(抜粋):
500nm以下の粒径の複数の粒子からなる金属または金属合金粉末と、
金属または金属合金粉末の粒子に結合した分散剤であって、金属または金属合金粉末の前記粒子の凝集を減少させまたは防止するのに十分な量で存在する分散剤と、
前記金属または金属合金粉末の焼結温度よりも低い揮発温度を有する結合剤と
を含むことを特徴とする、電気相互接続を形成するための組成物。
IPC (4件):
H01B 1/22
, H01B 13/00
, H05K 3/32
, H01L 21/52
FI (4件):
H01B1/22 A
, H01B13/00 503D
, H05K3/32 B
, H01L21/52 E
Fターム (13件):
5E319AA03
, 5E319BB11
, 5E319GG11
, 5E319GG20
, 5F047BA15
, 5F047BA21
, 5F047BB13
, 5G301DA02
, 5G301DA03
, 5G301DA42
, 5G301DD01
, 5G301DE01
, 5G323CA03
引用特許:
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