特許

J-GLOBAL ID：200903051928797081

イオン打込み装置

発明者： 雨宮 健介 ,  伊藤 純也 ,  登木口 克己 ,  作道 訓之
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 富田 和子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-214114
公開番号（公開出願番号）：特開平8-077960
出願日： 1994年09月07日
公開日（公表日）： 1996年03月22日
要約：

【要約】【目的】イオンビームを効率よく加速することができるRFQ加速器を用いて、高スループットのMeVイオン打込み装置を提供する。【構成】イオンビーム9として出射するイオン源1と、イオン源1から出射されたイオンビーム9を偏向してイオンの質量分離する質量分離器2と、質量分離されたイオンビーム9を収束する磁気四重極レンズ3と、収束されたイオンビーム9を受け入れて所定のエネルギーまで加速するRFQ加速器4と、RFQ加速器4から出射された高エネルギーイオンビーム9を導入する打ち込み室5と、電子ビーム10を出射する電子銃7と、磁気四重極レンズ3とRFQ加速器4との間に設けられる、発生した電子ビーム10をイオンビーム9に重ねて導入するための、イオンビーム9の軌道を変化させない程度の弱い磁場を発生する偏向電磁石8とを有する。

請求項（抜粋）：

正イオンを発生し前記正イオンをイオンビームとして出射するイオン発生源と、前記イオン発生源から出射された前記イオンビームを加速する粒子加速装置とを有するイオン打込み装置において、前記粒子加速装置内を通る前記イオンビームの通過している領域の少なくとも一部に、電子を供給する電子供給手段を有することを特徴とするイオン打込み装置。

IPC (7件)：

H01J 37/317 ,  H01J 27/20 ,  H01J 37/08 ,  H01J 37/147 ,  H01J 49/30 ,  H01L 21/265 ,  H05H 9/00

引用特許：

審査官引用 (3件)

• イオン打ち込み装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-090734   出願人：株式会社日立製作所
• 特開昭62-071153
  
• 特開昭62-227086