半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-218880
公開番号（公開出願番号）：特開平8-083913
出願日： 1994年09月13日
公開日（公表日）： 1996年03月26日
要約：

【要約】【目的】 0.1μm以下の世代で、微細化による高機能化と、高速動作や駆動電流の向上などの高性能化を実現すると共に、トンネル現象や量子化現象を応用した現実的な新機能素子の構造と、その製造方法を提案する。【構成】 SOI構造のMOSにおいて、チャネル領域5において、SOI層9を全体がチャネルとなるまで超薄膜化させ、ソース領域3とドレイン領域33のSOI層9の膜厚をチャネル領域5の膜厚よりも厚くして、寄生抵抗の低減を図り、電流駆動能力を飛躍的に向上させ、高速化を実現すると共に、バリスティックな特性を応用して、高機能素子に発展させることを可能としている。

請求項（抜粋）：

シリコン基板上に絶縁層、SOI層を積層に設けたSOI基板の前記絶縁層の上に配置される前記SOI層の一部を薄くすることによって形成されるチャネル領域と、前記チャネル領域を挟んだ位置における前記SOI層によって形成されるソース領域及びドレイン領域と、前記チャネル領域にゲート酸化膜を介して配置されるゲート電極と、を備えることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/786 , H01L 27/08 331 , H01L 29/06 , H01L 29/66

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平3-155166
特開平4-114476
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-237890 出願人：シャープ株式会社

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