ダイナミック型半導体記憶装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-191440
公開番号（公開出願番号）：特開平11-039861
出願日： 1997年07月16日
公開日（公表日）： 1999年02月12日
要約：

【要約】【課題】チップ面積の増大を抑え、通常のアクセスに遅延を生じず、しかも、リフレッシュ電流を削減して、リテンション特性の悪いセルを救済することが困難であった。【解決手段】リフレッシュモード時、アドレス比較回路はリテンション不良ロウ記憶素子307a〜307cに記憶されたアドレスとリフレッシュロウアドレスカウンタ305の出力信号とを比較し、これらが一致した場合、リフレッシュロウアドレス変換回路312、ロウアドレスマルチプレクサ314により、正常ロウとともにリテンション不良ロウをリフレッシュし、リテンション不良ロウの選択回数を増加させてリフレッシュ周期を短縮する。

請求項（抜粋）：

ロウ方向、カラム方向に配置され、ある一定の時間T以内に一度リフレッシュを必要とするダイナミック型メモリセル群を有するダイナミック型半導体記憶装置であって、リテンション時間がTの1/(2のn乗)、(nは正の整数)より長く、Tより短いセルを含むロウのアドレスを記憶する記憶手段と、リフレッシュされるロウを示すリフレッシュロウアドレスを生成する生成手段と、前記記憶手段に記憶されているロウアドレスの最上位nビットを除くビット列部分が、前記生成手段により生成されたリフレッシュロウアドレスの最上位nビットを除くビット列部分と等しい場合、前記記憶手段に記憶されているロウアドレスで選択されるロウを、前記リフレッシュロウアドレスで選択されるロウとほぼ同時にリフレッシュする手段とを具備することを特徴とするダイナミック型半導体記憶装置。

IPC (2件)：

G11C 11/401 , G11C 11/406

FI (2件)：

G11C 11/34 371 D , G11C 11/34 363 L

引用特許：

審査官引用 (1件)

記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-105773 出願人：三洋電機株式会社

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