特許
J-GLOBAL ID：200903051953080019

半導体発光装置

発明者：
前田 俊秀

前田 俊秀 について


出願人/特許権者：
松下電子工業株式会社

松下電子工業株式会社 について


代理人 (1件)： 滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-210605
公開番号（公開出願番号）：特開2000-049387
出願日： 1998年07月27日
公開日（公表日）： 2000年02月18日
要約：
【要約】【課題】 発光素子で発光された光が発光出力経路で反射する割合を小さくし発光輝度を向上させることを目的とする。【解決手段】 リードフレーム1上に搭載された発光素子4を、高屈折率樹脂からなる内皮樹脂層7で被覆し、更にその外側を封止樹脂6で封止し、内皮樹脂層7の屈折率を発光素子4と封止樹脂6のそれぞれの屈折率の中間の値にする。内皮樹脂層7には、メタキシリレンジイソシアネートおよび4-メルカプトメチル-3,6-ジチア-1,8-オクタンジチオールを配合した高屈折率樹脂を用いる。
請求項（抜粋）：
搭載部材の上に搭載された発光素子と、少なくとも前記発光素子及び前記搭載部材を被覆する前記発光素子よりも小さな屈折率の封止樹脂とを含む半導体発光装置であって、メタキシリレンジイソシアネートと4-メルカプトメチル-3,6-ジチア-1,8-オクタンジチオールとを反応させて得られ発光素子の屈折率と封止樹脂の屈折率との間の値の屈折率を有した高屈折率樹脂を、少なくとも前記発光素子の光取出し面に被覆させて封止樹脂に内在させてなる半導体発光装置。
IPC (2件)：
H01L 33/00 ,  C08G 18/38
FI (2件)：
H01L 33/00 N ,  C08G 18/38 Z
Fターム (17件)：
4J034BA02 ,  4J034CA32 ,  4J034CB04 ,  4J034CC10 ,  4J034CD08 ,  4J034HA01 ,  4J034HA07 ,  4J034HC12 ,  4J034HC61 ,  4J034HC73 ,  4J034QB08 ,  4J034RA08 ,  4J034RA14 ,  5F041AA04 ,  5F041DA21 ,  5F041DA44 ,  5F041DA46
引用特許：
審査官引用 (5件)
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