半導体レーザ素子

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-167188
公開番号（公開出願番号）：特開平7-022701
出願日： 1993年07月06日
公開日（公表日）： 1995年01月24日
要約：

【要約】【目的】低抵抗で素子特性の再現性がよい半導体レーザ素子を得る。【構成】 AlGaInP系赤色半導体レーザ素子において、p型AlGaInP上部第2クラッド層15と、GaAsコンタクト層との間に、Ga<SB>z</SB>In<SB>1-z</SB>P(0≦z<0.5)層17が設けられている。Ga<SB>z</SB>In<SB>1-z</SB>P層17は、Ga<SB>w</SB>In<SB>1<HAN>ー</HAN>w</SB>P(w〜0.5)層16よりもバンドギャップが小さいので、正孔に対するヘテロ障壁を低減することができる。Ga<SB>z</SB>In<SB>1-z</SB>P層17の成長の直前には材料の切り替えのために成長を中断させる必要がなく、再成長面での界面不整やキャリア濃度の低下が生じることはない。

請求項（抜粋）：

(Al<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>)<SB>y</SB>In<SB>1-y</SB>P(0≦x<1、0.3<y<0.8)活性層を、第1導電型の(Al<SB>s</SB>Ga<SB>1-s</SB>)<SB>t</SB>In<SB>1-t</SB>P(x<s≦1、0<t<1)第1クラッド層と、第2導電型の(Al<SB>p</SB>Ga<SB>1-p</SB>)<SB>q</SB>In<SB>1-q</SB>P(x<p≦1、0<q<1)第2クラッド層とで挟んだ発光用積層部と、該第2クラッド層の上に形成された第2導電型のGaAsコンタクト層とを有し、該第2クラッド層と該コンタクト層との間に、第2導電型のGa<SB>z</SB>In<SB>1-z</SB>P(0≦z<0.5)層が設けられている半導体レーザ素子。

引用特許：

審査官引用 (1件)

半導体発光装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-346603 出願人：富士通株式会社

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