特許
J-GLOBAL ID：200903051961818574
マスクパターン自動発生方法およびマスク
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
堀 城之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-166391
公開番号（公開出願番号）：特開平11-015129
出願日： 1997年06月23日
公開日（公表日）： 1999年01月22日
要約：
【要約】【課題】 半導体集積回路のゲート長を短縮するために位相シフトマスクを用いる際、シフタ配置に矛盾を生じないマスクパターン自動発生方法およびそのようなマスクパターンを有するマスクを提供する。【解決手段】 ゲートパターンの内、活性領域上のゲート部の幅を短縮する。フィールド酸化膜上の配線パターンの幅は変更しない。ゲートで活性領域パターンを分割し、ゲートを挟んで90度位相シフタと270度位相シフタを交互に配置する。
請求項（抜粋）：
透明基板上に遮光パターンと90度位相シフトパターンと270度位相シフトパターンを形成した位相シフトマスクを用いてゲートパターンを露光する際の前記位相シフトマスクのマスクパターン自動発生方法であって、ゲート層設計データからゲートおよび配線パターン、フィールド層設計データから活性領域パターンを入力する工程と、前記ゲートおよび配線パターンから前記活性領域パターンを差し引き配線部分だけを取り出した配線パターンを作成する工程と、前記ゲートおよび配線パターンと前記活性領域パターンとの積を取りゲートパターンを作成する工程と、前記ゲートパターンの幅を短縮した短縮ゲートパターンを作成する工程と、前記活性領域パターンから前記短縮ゲートパターンを差し引いた上にゲートを挟んで一つ置きに90度位相シフタと270度位相シフタを配置してシフタパターンを作成する工程と、前記配線パターンと前記短縮ゲートパターンと前記シフタパターンの和を取り前記位相シフトマスクのパターンとして出力する工程とから成ることを特徴とするマスクパターン自動発生方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
G03F 1/08 A
, H01L 21/30 502 P
, H01L 21/30 528
