特許
J-GLOBAL ID：200903051967501912
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
安富 耕二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-253367
公開番号（公開出願番号）：特開平10-098133
出願日： 1996年09月25日
公開日（公表日）： 1998年04月14日
要約：
【要約】【課題】 半導体装置の有効面積率を向上させる。【解決手段】 半導体基板内に少なくとも能動素子が形成された半導体チップ61と、前記半導体チップ61表面に設けられ電極パッドと電気的に接続される外部接続手段62、63とを有し、前記外部接続手段62、63は前記半導体チップ61の近傍に配置され、且つ前記外部接続手段62、63及び前記半導体チップ61の一主面を露出させて封止用樹脂80で固定する。
請求項（抜粋）：
半導体基板内に少なくとも能動素子が形成された半導体チップと、前記半導体チップ表面に設けられ電極パッドと電気的に接続される外部接続手段とを有し、前記外部接続手段は前記半導体チップの近傍に配置され、且つ前記外部接続手段及び前記半導体チップの一主面を露出させて封止用樹脂で固定されたことを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 23/28
, H01L 21/56
, H01L 23/12
H01L 23/28 A
, H01L 21/56 T
, H01L 23/12 L
