パワー半導体モジュール

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：作田康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-154641
公開番号（公開出願番号）：特開2000-349231
出願日： 1999年06月02日
公開日（公表日）： 2000年12月15日
要約：

【要約】【課題】パワー半導体モジュールにおける絶縁基板上に接合する部品の接合位置の精度を向上させる。【解決手段】絶縁基板上に、半導体素子,銅リードなどの位置を定めるための1つ以上の凹凸部を設ける。【効果】部品の接合位置の精度が向上するので、パワー半導体モジュールの信頼性を向上することができる。

請求項（抜粋）：

モジュール底面を支持するベースと、ベース上に接合され、かつ複数個の半導体素子が接合される絶縁基板と、この半導体素子を外雰囲気より遮断するための樹脂ケースを備えるパワー半導体モジュールにおいて、絶縁基板上に、半導体素子の位置を定めるための1つ以上の凹凸部があることを特徴としたパワー半導体モジュール。

IPC (3件)：

H01L 25/07 , H01L 25/18 , H01L 23/12

FI (2件)：

H01L 25/04 C , H01L 23/12 F

引用特許：

出願人引用 (7件)

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審査官引用 (7件)

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