特許
J-GLOBAL ID：200903053052083720
パワー半導体モジュール
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-034592
公開番号（公開出願番号）：特開平9-232512
出願日： 1996年02月22日
公開日（公表日）： 1997年09月05日
要約：
【要約】【課題】高信頼パワー半導体モジュールを提供する。【解決手段】パワー回路部と、モジュール底部を封止する金属ベースと、該金属ベースと前記パワー回路部とを電気的に絶縁する絶縁基板と、前記パワー回路部に接続される外部入出力端子と、前記外部入出力端子が一体成型された樹脂製ケースと、樹脂封止材とを備えたパワー半導体モジュールにおいて、外部入出力端子のネジ止め用ナットと樹脂製ケースと金属ベースを一体成型し、ナットの下に樹脂製ケースを貫通しない空隙と金属ベースを配置する。【効果】信頼性が高い高電圧・大電流モジュールを実現できる。
請求項（抜粋）：
パワー半導体素子を備えたパワー回路部と、該パワー回路部を制御する制御回路部と、モジュール底部を封止する金属ベースと、該金属ベースと前記パワー回路部とを電気的に絶縁する絶縁基板と、前記パワー回路部に接続される外部入出力端子と、前記外部入出力端子が一体成型された樹脂製ケースと、樹脂封止材とを備えたパワー半導体モジュールにおいて、前記外部入出力端子のネジ止め用ナットと前記樹脂製ケースとが一体成型され、かつ該ナットの下に前記樹脂製ケースを貫通しない空隙を備えていることを特徴とするパワー半導体モジュール。
IPC (2件)：
引用特許：
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