特許
J-GLOBAL ID：200903051982523787

半導体発光素子およびその製造方法

発明者：
大塚 信之

大塚 信之 について

, 
吉井 重雄

吉井 重雄 について

, 
横川 俊哉

横川 俊哉 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (6件)： 角田 嘉宏 ,  古川 安航 ,  西谷 俊男 ,  幅 慶司 ,  内山 泉 ,  是枝 洋介
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-065496
公開番号（公開出願番号）：特開2004-253811
出願日： 2004年03月09日
公開日（公表日）： 2004年09月09日
要約：
【課題】 閾値電流が低く、しかも光の偏波面が制御された半導体発光素子、およびその製造方法の提供。【解決手段】 本発明の半導体発光素子は、n型InP基板1と、このn型InP基板1上にストライプ状に形成された、n型InP下部クラッド層3、前記n型InP基板1に対して平行な方向の共振器を有している活性層4、およびp型InP上部クラッド層5を含むストライプ構造10とを備えている。このストライプ構造10は、凹部9が四角格子状に配列されたフォトニック結晶構造2を有しており、フォトニック結晶構造2の凹部9の配列方向と共振器方向とが同一となっている。また、共振器方向に延びるストライプ状の上部電極6がストライプ構造10上に形成されている。このように構成された本発明の半導体発光素子は、n型InP基板1に対して垂直な方向に光を放射する。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
半導体基板と、 前記半導体基板上に形成された、下部クラッド層、前記半導体基板に対して平行な方向の共振器を有している活性層、および上部クラッド層を含む半導体積層体と、 前記上部クラッド層に接続され、共振器方向に延びるストライプ状の上部電極と、 前記下部クラッド層に接続される下部電極とを備え、 前記半導体積層体は、複数の凹部または凸部が共振器方向に周期的に配列されたフォトニック結晶構造を有し、 前記フォトニック結晶構造は、平面視において、少なくとも一部が前記上部電極と重ならず、しかも前記上部電極と共振器方向で並ぶように形成されており、 前記上部電極と前記下部電極との間に所定の電圧を印加した場合に、前記フォトニック結晶構造の平面視において前記上部電極と重ならない領域から光を放射する、半導体発光素子。
IPC (2件)：
H01S5/18 ,  H01S5/343
FI (2件)：
H01S5/18 ,  H01S5/343
Fターム (8件)：
5F073AA11 ,  5F073AA62 ,  5F073AA74 ,  5F073CA14 ,  5F073CB02 ,  5F073DA05 ,  5F073EA22 ,  5F073EA23
引用特許：
審査官引用 (2件)

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