特許
J-GLOBAL ID:200903052048947242
集積回路素子の製造方法および製造装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
杉本 勝徳
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-518833
公開番号(公開出願番号):特表平9-511097
出願日: 1995年01月10日
公開日(公表日): 1997年11月04日
要約:
【要約】集積回路素子を製造する方法であって、それぞれが多数のパッド部を備える複数の集積回路を、第1および第2の平坦面を有するウェファ上に形成する工程と、前記のウェファの両平坦面に保護材の層をウェファ方向に着合する工程と、予め外装処理された複数の集積回路素子の輪郭線に沿った切込み部を形成するため、前記の着合された保護材とウェファとを部分的に切刻する工程と、前記の外装処理された複数の集積回路素子がウェファ上で互いに結合している状態で、少なくともその一部分が前記切込み部まで伸長するような金属接触端子を前記の複数の集積回路素子上に形成する工程と、前記の外装された複数の集積回路素子を切断して個々の素子に分断する工程とから成る。また、その方法で生産される集積回路も開示およびクレームされている。
請求項(抜粋):
集積回路素子を製造する方法であって、 それぞれが多数のパッド部を備える複数の集積回路を、第1および第2の平坦面を有するウェファ上に形成する工程と、 前記のウェファの両平坦面に保護材の層をウェファ方向に着合する工程と、 予め外装処理された複数の集積回路素子の輪郭線に沿った切込み部を形成するため、前記の着合された保護材とウェファとを部分的に切刻する工程と、 前記の外装処理された複数の集積回路素子がウェファ上で互いに結合している状態で、少なくともその一部分が前記切込み部まで伸長するような金属接触端子を前記の複数の集積回路素子上に形成する工程と、 前記の外装された複数の集積回路素子を切断して個々の素子に分断する工程とから成る集積回路素子の製造方法。
IPC (3件):
H01L 21/301
, H01L 23/29
, H01L 23/31
FI (2件):
H01L 21/78 A
, H01L 23/30 D
引用特許:
審査官引用 (4件)
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特開昭58-095862
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特表平7-508615
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半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-211207
出願人:ソニー株式会社
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