マスク用基板リサイクルのためのパターン除去方法およびそのパターン除去装置およびこれらでパターン除去されたマスク用基板

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)： ▲高▼橋寛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-353768
公開番号（公開出願番号）：特開2003-145426
出願日： 2001年11月19日
公開日（公表日）： 2003年05月20日
要約：

【要約】【課題】本発明はマスク用基板上に所定のパターンが形成されて既に使用されたマスク基板に対し、当該パターンを除去することでマスク用基板として再利用可能とさせるマスク用基板リサイクルのためのパターン除去方法、パターン除去装置およびマスク用基板に関し、周囲環境に影響を与えず、簡易かつ安価に品質良好で再利用可能なマスク用基板を作製することを目的とする。【解決手段】マスク基板21のパターン23に対するブラスト材16の噴射の圧力を2.0Kg/cm2未満に調整し、当該圧力でノズル13よりブラスト材16を当該パターン面に噴射してパターンを除去する構成とする。

請求項（抜粋）：

マスク用基板上に所定のパターンが形成されたマスク基板より当該パターンを除去して、当該マスク用基板上にパターン形成可能とさせるマスク用基板リサイクルのためのパターン除去方法であって、前記マスク基板のパターン面に対して、ノズルよりブラスト材を噴射する圧力を2.0Kg/cm2未満に調整するステップと、前記マスク基板のパターン面に対し、前記ノズルよりブラスト材を上記圧力で噴射させて当該パターンを除去するステップと、を含むことを特徴とするマスク用基板リサイクルのためのパターン除去方法。

IPC (4件)：

B24C 1/00 , B24C 5/02 , G03F 1/14 , H01L 21/027

FI (4件)：

B24C 1/00 C , B24C 5/02 C , G03F 1/14 A , H01L 21/30 502 P

Fターム (3件)：

2H095BA01 , 2H095BB29 , 2H095BC26

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開昭62-006259
ウェーハの研磨方法及びその装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-352558 出願人：株式会社ラスコ
特開昭62-006259

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