ショットキー接合型半導体装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：鈴木俊一郎 , 牧村浩次 , 八本佳子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-118528
公開番号（公開出願番号）：特開2007-235162
出願日： 2007年04月27日
公開日（公表日）： 2007年09月13日
要約：

【課題】n因子を増加させることなくショットキー障壁の高さを電力損失が小さくなる所望の値に制御可能なショットキー接合型半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】本発明のショットキー接合型半導体装置は、n型の4H-SiC単結晶基板上に形成されたn型の4H-SiCエピタキシャル層の表面にモリブデンからなるショットキー電極が形成されてなるショットキー接合型半導体装置であって、該4H-SiC単結晶基板の裏面に、オーミック電極として機能するように熱処理が施されたオーミック電極を有し、600〜900°Cでの熱処理により該4H-SiCエピタキシャル層と該ショットキー電極との界面で合金化反応を起こすことで形成された合金層を該界面に有し、かつ、n因子が1.05以下であり、かつショットキー障壁高さが1.2〜1.27eVの範囲にあることを特徴とする。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

n型の4H-SiC単結晶基板上に形成されたn型の4H-SiCエピタキシャル層の表面にモリブデンからなるショットキー電極が形成されてなるショットキー接合型半導体装置であって、該4H-SiC単結晶基板の裏面に、オーミック電極として機能するように熱処理が施されたオーミック電極を有し、 600〜900°Cでの熱処理により該4H-SiCエピタキシャル層と該ショットキー電極との界面で合金化反応を起こすことで形成された合金層を該界面に有し、かつ、 n因子が1.05以下であり、かつショットキー障壁高さが1.2〜1.27eVの範囲にあることを特徴とするショットキー接合型半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 29/872 , H01L 29/47 , H01L 21/28 , H01L 21/338 , H01L 29/812

FI (3件)：

H01L29/48 D , H01L21/28 301R , H01L29/80 M

Fターム (22件)：

4M104AA03 , 4M104BB05 , 4M104BB16 , 4M104BB21 , 4M104BB26 , 4M104CC01 , 4M104CC03 , 4M104DD37 , 4M104DD78 , 4M104DD79 , 4M104DD83 , 4M104DD84 , 4M104FF35 , 4M104GG03 , 4M104GG12 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ02 , 5F102GL02 , 5F102GT03 , 5F102GT04

引用特許：

出願人引用 (1件)

炭化けい素ショットキーバリアダイオードおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-365929 出願人：富士電機株式会社

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