特許

J-GLOBAL ID：200903052114397283

ガラス基板の前処理方法

発明者： 近藤 慶和 ,  守屋 友伸 ,  福田 和浩 ,  西脇 彰
出願人/特許権者： コニカ株式会社
代理人 (1件)： 坂口 信昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-053544
公開番号（公開出願番号）：特開2000-250017
出願日： 1999年03月02日
公開日（公表日）： 2000年09月14日
要約：

【要約】【課題】新規なガラス基板の前処理方法を提供するものであり処理時間を大幅に短縮することができ、メンテナンス性や安全性の面で有利であり、収率を向上させることができ、生産性のよいガラス基板の前処理方法を明らかにする。【解決手段】ガラス基板に塗布液を塗布する前の処理として、ガラス基板の表面を大気圧下で放電処理を行なうことを特徴とするガラス基板の前処理方法である。

請求項（抜粋）：

ガラス基板に塗布液を塗布する前の処理として、ガラス基板の表面を大気圧下で放電処理を行なうことを特徴とするガラス基板の前処理方法。

IPC (4件)：

G02F 1/1333 500 ,  B08B 6/00 ,  C03C 23/00 ,  G02F 1/13 101

FI (4件)：

G02F 1/1333 500 ,  B08B 6/00 ,  C03C 23/00 A ,  G02F 1/13 101

Fターム (17件)：

2H088EA02 ,  2H088FA17 ,  2H088FA21 ,  2H088FA30 ,  2H088HA01 ,  2H088MA20 ,  2H090HC18 ,  2H090JB02 ,  2H090JC09 ,  2H090JC19 ,  3B116AA02 ,  3B116AB14 ,  3B116AB42 ,  3B116BC01 ,  3B116CD11 ,  4G059AA08 ,  4G059AB01

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 表面処理方法及びその装置、半導体装置の製造方法及びその装置、並びに液晶ディスプレイの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-124250   出願人：セイコーエプソン株式会社
• ウエハ及び基板の処理装置及び処理方法、ウエハ及び基板の移載装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-164526   出願人：セイコーエプソン株式会社