特許

J-GLOBAL ID：200903052126470679

光電変換素子とそれを用いた光電変換装置及び光電変換素子の製造方法

発明者： 西宮 立享
出願人/特許権者： 三菱重工業株式会社
代理人 (1件)： 藤田 考晴 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-397341
公開番号（公開出願番号）：特開2002-198551
出願日： 2000年12月27日
公開日（公表日）： 2002年07月12日
要約：

【要約】【課題】 光電変換効率を向上させることができる光電変換素子とそれを用いた光電変換装置及び光電変換素子の製造方法を提供する。【解決手段】 本発明の光電変換素子は、基板1上に、n型微結晶シリコン層4、アモルファスシリコン層11、真性微結晶シリコン層12、p型微結晶シリコン層6を順次積層し、このアモルファスシリコン層11を、その表面を堆積後にドライエッチング処理することで薄厚化したことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

基板上に、第1導電型半導体層、非晶質半導体層、結晶質を含む光電変換層、第2導電型半導体層が順次積層され、前記非晶質半導体層は、堆積後にドライエッチング処理された表面を有することを特徴とする光電変換素子。

FI (2件)：

H01L 31/04 B ,  H01L 31/04 W

Fターム (13件)：

5F051AA04 ,  5F051AA05 ,  5F051CA05 ,  5F051CB22 ,  5F051DA04 ,  5F051DA15 ,  5F051FA02 ,  5F051FA03 ,  5F051FA04 ,  5F051FA06 ,  5F051FA14 ,  5F051GA02 ,  5F051GA03

引用特許：

審査官引用 (2件)

• シリコン系薄膜光電変換装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-235915   出願人：鐘淵化学工業株式会社
• 光起電力素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-075023   出願人：キヤノン株式会社