不揮発性記憶素子

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：船橋國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-324684
公開番号（公開出願番号）：特開平8-181295
出願日： 1994年12月27日
公開日（公表日）： 1996年07月12日
要約：

【要約】【目的】低電圧で書き込むことができかつ電荷保持時間が長く、しかもコントロールゲートのオン電圧Vthがドレイン電圧の影響を受け難い不揮発性記憶素子を提供すること。【構成】基体2表面に絶縁膜3を形成し、この絶縁膜3中には、基体2表面に対して略平行にフローティングゲート4を設け、さらに絶縁膜3上にはコントロールゲート4を形成したゲート6を有する不揮発性記憶素子1において、上記のフローティングゲート4を複数の独立した電極パターン4aによって構成する。

請求項（抜粋）：

基体表面に形成された絶縁膜と、該絶縁膜中に、前記基体表面に対して略平行に設けられたフローティングゲートと、前記絶縁膜上に形成されたコントロールゲートとからなるゲートを有する不揮発性記憶素子において、前記フローティングゲートは、複数の独立した電極パターンによって構成されていることを特徴とする不揮発性記憶素子。

IPC (4件)：

H01L 27/115 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (2件)：

H01L 27/10 434 , H01L 29/78 371

引用特許：

審査官引用 (4件)

不揮発性半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-229886 出願人：株式会社東芝
特開昭63-274180
特開平3-228315

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