特許
J-GLOBAL ID：200903052147056813

微結晶膜および微結晶薄膜太陽電池の製造方法

発明者：
和田 雄人

和田 雄人 について


出願人/特許権者：
富士電機ホールディングス株式会社

富士電機ホールディングス株式会社 について


代理人 (3件)： 山口 巖 ,  駒田 喜英 ,  松崎 清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-055280
公開番号（公開出願番号）：特開2004-266111
出願日： 2003年03月03日
公開日（公表日）： 2004年09月24日
要約：
【課題】微結晶膜の膜質の向上と成膜速度の増大を図り、さらに微結晶膜を用いた薄膜半導体デバイス、特に微結晶薄膜太陽電池の性能向上と製造コストの低減化を図った微結晶膜および微結晶薄膜太陽電池の製造方法を提供する。【解決手段】高周波電極1近傍に生ずる発光部5と接地電極2近傍に生ずる発光部6とが重なる成膜条件で微結晶膜を形成し、かつ、d を高周波電極と接地電極との空間距離、s1を高周波電極近傍の暗部の厚さ、p1を同発光部の厚さ、s2を基板側電極近傍の暗部の厚さ、p2を同発光部の厚さとしたとき、下記の条件式を満足することとする。 s1+p1+s2+p2 > d > s1+s2+(p1+p2)/2また、少なくとも光活性層が微結晶膜からなる微結晶薄膜太陽電池の製造方法において、微結晶膜は前述の製造方法によって形成し、かつ、光活性層は、その微結晶膜の結晶体積分率が30〜70%の範囲となるように形成する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
微結晶膜形成用基板の一側に配設した平板状の接地電極と、他側に平行して配設した平板状の高周波電極と、原料ガス供給口とを備えた成膜室に、膜形成用の原料ガスを導入し、プラズマ放電によって前記基板主面に微結晶膜を形成する微結晶膜の製造方法において、 前記高周波電極近傍に生ずる発光部とこの発光部に対向して接地電極近傍に生ずる発光部とが重なる成膜条件で微結晶膜を形成し、かつ、前記重なる成膜条件は、下記の条件式を満足することを特徴とする微結晶膜の製造方法。 s1+p1+s2+p2 > d > s1+s2+(p1+p2)/2 前記条件式において、d は高周波電極と接地電極との空隙距離、s1は高周波電極近傍の暗部の厚さ、p1は同発光部の厚さ、s2は基板側電極近傍の暗部の厚さ、p2は同発光部の厚さを示す。
IPC (2件)：
H01L21/205 ,  H01L31/04
FI (3件)：
H01L21/205 ,  H01L31/04 X ,  H01L31/04 A
Fターム (18件)：
5F045AA08 ,  5F045AB02 ,  5F045AB05 ,  5F045AB06 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045AB40 ,  5F045AC01 ,  5F045AC19 ,  5F045AF07 ,  5F045BB17 ,  5F045CA13 ,  5F045EH07 ,  5F051AA04 ,  5F051BA14 ,  5F051CB12 ,  5F051CB15 ,  5F051CB29
引用特許：
審査官引用 (1件)
  • 微結晶膜の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-250270   出願人：富士電機株式会社

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