特許

J-GLOBAL ID：200903038523324570

微結晶膜の製造方法

発明者： 佐々木 敏明
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 山口 巖 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-250270
公開番号（公開出願番号）：特開2002-064066
出願日： 2000年08月21日
公開日（公表日）： 2002年02月28日
要約：

【要約】【課題】 微結晶膜を用いた薄膜半導体デバイスの性能向上を図るために、高い結晶体積分率、即ち高い(I520/I480)を有する微結晶膜を形成可能な微結晶膜の製造方法を提供する。【解決手段】 微結晶膜形成用基板2の一側に配設した平板状の接地電極3と、他側に平行して配設した平板状の高周波電極1と、原料ガス供給口とを備えた成膜室に、膜形成用の原料ガスを導入し、プラズマ放電によって前記基板主面に微結晶膜を形成する微結晶膜の製造方法において、前記両電極の間隔を減少することによって、あるいは、成膜圧力を減少することによって、高周波電極近傍に生ずる発光部とこの発光部に対向して接地電極近傍に生ずる発光部の双方7が、隣接または重なる成膜条件として微結晶膜を形成する。

請求項（抜粋）：

微結晶膜形成用基板の一側に配設した平板状の接地電極と、他側に平行して配設した平板状の高周波電極と、原料ガス供給口とを備えた成膜室に、膜形成用の原料ガスを導入し、プラズマ放電によって前記基板主面に微結晶膜を形成する微結晶膜の製造方法において、前記高周波電極近傍に生ずる発光部とこの発光部に対向して接地電極近傍に生ずる発光部とが、隣接または重なる成膜条件で微結晶膜を形成することを特徴とする微結晶膜の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  C01B 33/02 ,  H01L 31/04

FI (3件)：

H01L 21/205 ,  C01B 33/02 D ,  H01L 31/04 V

Fターム (29件)：

4G072AA01 ,  4G072BB09 ,  4G072GG03 ,  4G072HH01 ,  4G072NN18 ,  4G072RR25 ,  4G072RR28 ,  4G072UU01 ,  4G072UU02 ,  5F045AA08 ,  5F045AB01 ,  5F045AB03 ,  5F045AB05 ,  5F045AB06 ,  5F045AC01 ,  5F045AD06 ,  5F045AE19 ,  5F045BB16 ,  5F045BB17 ,  5F045CA13 ,  5F045EE17 ,  5F045EH07 ,  5F045EH12 ,  5F045EH13 ,  5F045EK07 ,  5F051AA04 ,  5F051CA15 ,  5F051CA23 ,  5F051CA34

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 非晶質シリコン膜の製造方法、非晶質窒化シリコン膜の製造方法、微結晶シリコン膜の製造方法、及び非単結晶半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-100219   出願人：キヤノン株式会社
• 特開昭62-102568
  
• 結晶質シリコン系半導体薄膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-047184   出願人：鐘淵化学工業株式会社