特許
J-GLOBAL ID：200903052155214312
熱型赤外線センサ
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
後藤 洋介 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-308604
公開番号（公開出願番号）：特開平7-225152
出願日： 1994年12月13日
公開日（公表日）： 1995年08月22日
要約：
【要約】【目的】 熱型赤外線センサのダイヤフラムに使用されている窒化シリコン膜は,内部応力・熱伝導率が共に大きく,センサの感度にとって不利な材料である。この窒化シリコン膜を使用せずに,ダイヤフラムを作成する。【構成】 空洞11bの上に形成されたダイヤフラムの基板2よりの領域において絶縁性の薄膜が,上層の第2の酸化シリコン膜A及びB12,13より下層の第1の酸化シリコン膜11の方がより伸張力の強い酸化シリコンの多層膜からなり,ダイヤフラムの中央領域においては下層の酸化シリコン膜が無いかあるいは基板よりの領域より薄いことを特徴とした赤外線センサ。ダイヤフラムの熱の逃げ道となる基板よりの領域において窒化シリコン膜を使用せず,中央領域に向かって酸化シリコン膜からなる薄膜が上に反り受光部を上方向に保持することで,ダイヤフラムの強度を損なわずに熱伝導度を小さくし,センサの感度を向上させる。
請求項（抜粋）：
熱電変換素子および赤外線吸収層とを基板に橋架保持された絶縁性の薄膜に設けたダイヤフラム構造を備えた熱型赤外線センサにおいて,前記薄膜は,前記薄膜から延在し前記基板と連結し前記薄膜を支持する支持部を備えるとともに,前記基板面寄りの第1の絶縁層と,前記第1の絶縁層よりも前記基板面から離間した第2の絶縁層とを備え,前記支持部においては,前記第1及び第2の絶縁層の内の一方は,少なくとも前記基板寄りの領域で,他方の絶縁層よりも強い伸張力を有することを特徴とする熱型赤外線センサ。
IPC (2件)：
引用特許：
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