特許

J-GLOBAL ID：200903052182875991

固体撮像素子およびその製造方法

発明者： 栗山 俊寛 ,  田中 浩司 ,  田中 晶二
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 池内 寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-320129
公開番号（公開出願番号）：特開平11-154741
出願日： 1997年11月20日
公開日（公表日）： 1999年06月08日
要約：

【要約】【課題】 暗電流や白傷の発生を低減し、出力画像の画質が良好な高感度の固体撮像素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板11と、前記基板内に形成された受光部12と、前記基板および前記受光部の上に形成された層間絶縁膜16と、前記層間絶縁膜16と前記基板11との間に形成された電極14a、14bと、前記層間絶縁膜16の上に形成され、前記受光部12の上に少なくとも一つの開口部を有する遮光膜17と、前記遮光膜17の上に形成された表面保護膜18とを備えた固体撮像素子において、前記層間絶縁膜16と前記受光部12との間に反射防止膜15を備え、前記反射防止膜15を、前記電極14a、14bが形成された部分を除く領域に平板状に形成することを特徴とした。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記基板内に形成された受光部と、前記基板および前記受光部の上に形成された層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜と前記基板との間に形成された電極と、前記層間絶縁膜の上に形成され、前記受光部の上に少なくとも一つの開口部を有する遮光膜とを備えた固体撮像素子であって、前記層間絶縁膜と前記受光部との間に反射防止膜を備え、前記反射防止膜が、前記電極が形成された部分を除く領域に平板状に形成されていることを特徴とする固体撮像素子。

IPC (2件)：

H01L 27/14 ,  H04N 5/335

FI (2件)：

H01L 27/14 D ,  H04N 5/335 U

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 固体撮像素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-353565   出願人：ソニー株式会社