特許
J-GLOBAL ID：200903052185712147
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
河野 登夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-253784
公開番号（公開出願番号）：特開平8-125275
出願日： 1994年10月19日
公開日（公表日）： 1996年05月17日
要約：
【要約】【目的】 広く、滑らかな劈開面が容易に得られる基板を用いることで品質の安定,特性の向上を図る。【構成】 α面のα-SiC基板1の表面にn型のGaN層2等の窒化ガリウム系化合物層をエピタキシャル成長させ、c軸方向と直交する方向(c面)に沿って劈開する。
請求項（抜粋）：
α-SiC基板と、該α-SiC基板のa面又はこれとなす角度が10度以内の傾斜面に形成した複数の窒化カリウム系化合物半導体層とからなることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01S 3/18
, C30B 29/38
, H01L 21/205
