特許
J-GLOBAL ID：200903052186035645

レーザアニール装置

発明者：
戸井田 昌宏

戸井田 昌宏 について


出願人/特許権者：
富士写真フイルム株式会社

富士写真フイルム株式会社 について


代理人 (4件)： 中島 淳 ,  加藤 和詳 ,  西元 勝一 ,  福田 浩志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-148027
公開番号（公開出願番号）：特開2004-349643
出願日： 2003年05月26日
公開日（公表日）： 2004年12月09日
要約：
【課題】レーザエネルギーを平均的にかつ無駄なく吸収させて大結晶粒を形成可能とすると共に、薄膜結晶化を可能とする。【解決手段】アニールの対象物150における同一の照射位置に、上方から投射されたレーザビームによる温度分布と下方から投射されたレーザビームによる温度分布との和となる温度分布が、対象物150の厚さ方向に対し一定に近い状態とされる。このため、固液界面は、対象物150の面方向に対し垂直に近く形成されることになり、横方向へ結晶成長が進むようにして大結晶粒を形成させることが可能となる。薄い膜厚の対象物150でも入力エネルギーを無駄なく利用してアニール処理を行う。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
GaN系半導体レーザで出射したレーザビームを出射するレーザ光源と、 前記レーザ光源から出射された前記レーザビームから2分割された一方のレーザビームを膜状のアニールの対象物に対して一方の面から投射させる第1の光路と、 前記膜状のアニールの対象物に対して、一方の面から投射された前記一方のレーザビームの照射位置における他方の面より、前記レーザ光源から出射された前記レーザビームから2分割された他方のレーザビームを投射させる第2の光路と、 前記アニールの対象物と、前記レーザビームとを相対的に移動して走査する手段と、を有することを特徴とするレーザアニール装置。
IPC (4件)：
H01L21/268 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786
FI (3件)：
H01L21/268 J ,  H01L21/20 ,  H01L29/78 627G
Fターム (22件)：
5F052AA02 ,  5F052BA04 ,  5F052BA11 ,  5F052BA14 ,  5F052BB01 ,  5F052BB07 ,  5F052CA04 ,  5F052CA07 ,  5F052DA02 ,  5F052FA01 ,  5F052JA01 ,  5F110AA17 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110EE09 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110PP03 ,  5F110PP04 ,  5F110PP06 ,  5F110PP40
引用特許：
審査官引用 (3件)

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