レーザー装置及びレーザーアニール方法並びに半導体装置の作製方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-243525
公開番号（公開出願番号）：特開2001-144027
出願日： 2000年08月11日
公開日（公表日）： 2001年05月25日
要約：

【要約】【課題】結晶粒径の大きい結晶質半導体膜が得られ、且つ、ランニングコストの低いレーザー装置及びレーザーアニール方法を提供する。【解決手段】レーザーとしてメンテナンスが容易に耐久性の高い固体レーザーを用い、さらに線状のレーザー光としてスループットを上げることで製造コスト全体の低減を図る。さらに、そのようなレーザー光を非晶質半導体膜の表面及び裏面に照射することで結晶粒径の大きい結晶質半導体膜を得る。

請求項（抜粋）：

固体レーザーと、前記固体レーザーを発振源とするレーザー光の断面形状を線状に加工する光学系と、前記レーザー光を被処理体の表面及び裏面に照射する処理室と、を有することを特徴とするレーザー装置。

IPC (6件)：

H01L 21/268 , G02F 1/1368 , H01L 21/20 , H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01S 3/00

FI (6件)：

H01L 21/268 J , H01L 21/20 , H01S 3/00 B , G02F 1/136 500 , H01L 29/78 627 F , H01L 29/78 627 G

Fターム (92件)：

2H092GA59 , 2H092HA28 , 2H092JA25 , 2H092JA33 , 2H092JA35 , 2H092JA36 , 2H092JB07 , 2H092JB33 , 2H092JB36 , 2H092JB51 , 2H092JB69 , 2H092KA05 , 2H092KA10 , 2H092KA12 , 2H092KA18 , 2H092KB04 , 2H092KB24 , 2H092KB25 , 2H092MA05 , 2H092MA08 , 2H092MA27 , 2H092MA30 , 2H092MA35 , 2H092MA41 , 2H092NA27 , 2H092PA06 , 5F052AA02 , 5F052BA07 , 5F052BB02 , 5F052BB07 , 5F052CA04 , 5F052CA10 , 5F052DA02 , 5F052DB03 , 5F052DB07 , 5F052JA01 , 5F052JA04 , 5F072AB02 , 5F072JJ08 , 5F072KK05 , 5F072KK12 , 5F072QQ02 , 5F072RR05 , 5F072YY08 , 5F110AA30 , 5F110BB04 , 5F110CC02 , 5F110DD02 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110EE04 , 5F110EE05 , 5F110EE06 , 5F110EE14 , 5F110EE28 , 5F110EE44 , 5F110FF02 , 5F110FF04 , 5F110FF28 , 5F110FF30 , 5F110GG02 , 5F110GG25 , 5F110GG32 , 5F110GG43 , 5F110GG45 , 5F110HJ01 , 5F110HJ04 , 5F110HJ11 , 5F110HJ23 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HM15 , 5F110NN02 , 5F110NN03 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN33 , 5F110NN72 , 5F110PP01 , 5F110PP03 , 5F110PP04 , 5F110PP06 , 5F110PP07 , 5F110PP11 , 5F110PP29 , 5F110PP35 , 5F110QQ09 , 5F110QQ21 , 5F110QQ25

引用特許：

審査官引用 (5件)

レーザー照射方法およびレーザー照射装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-046992 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所, シャープ株式会社
半導体層のアニール処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-268467 出願人：ソニー株式会社
薄膜トランジスタの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-070022 出願人：シャープ株式会社

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