特許

J-GLOBAL ID：200903052206343368

半導体装置の製造方法

発明者： 安藤 守
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 安富 耕二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-046766
公開番号（公開出願番号）：特開平10-242085
出願日： 1997年02月28日
公開日（公表日）： 1998年09月11日
要約：

【要約】【課題】 有効面積率を向上した半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 第1の能動素子等を形成した第1の半導体基板60と、前記第1の能動素子と接続する第2の能動素子を形成した第2の半導体基板100とを所定間隔離間して配置して、前記第1の能動素子等と第2の能動素子等を電気的に接続し、前記第1あるいは第2の半導体基板をダイシング装置のテーブル151上に保持し、前記第2あるいは第1の半導体基板の裏面側に赤外線を照射し位置合わせを行った後、前記第2あるいは第1の半導体基板の裏面側から前記第2あるいは第1の半導体基板表面まで到達する複数の溝(スリット孔)を形成し、第1及び第2の半導体基板を所定サイズに分割する。

請求項（抜粋）：

半導体ウェハーの表面上の複数の区画領域に第1の能動素子、若しくは/及び、外部接続用電極を形成した第1の半導体基板を準備する工程と、他の半導体ウェハー表面上に前記能動素子と前記外部接続用電極とを接続する回路パターン、若しくは、前記外部接続用電極、若しくは/及び前記第1の能動素子と接続する第2の能動素子を形成した第2の半導体基板を準備する工程と、前記第1及び第2の半導体基板を所定間隔離間して配置して前記第1の能動素子、若しくは/及び外部接続用電極と、前記回路パターン、若しくは、第2の能動素子とを電気的に接続する工程と、前記第1あるいは第2の半導体基板をダイシング装置のテーブル上に保持し、前記第2あるいは第1の半導体基板の裏面側に赤外線を照射し位置合わせを行った後、前記第2あるいは第1の半導体基板の裏面側から前記第2あるいは第1の半導体基板表面まで到達する複数の溝(スリット孔)を形成する工程と、前記第1及び第2の半導体基板を所定サイズに分割する工程とを具備したことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/301 ,  H01L 27/00

FI (2件)：

H01L 21/78 Q ,  H01L 27/00

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-125633
  
• 精密切削装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-169792   出願人：株式会社ディスコ
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-039558   出願人：三洋電機株式会社