特許

J-GLOBAL ID：200903052213338485

Ge薄膜の成膜方法

発明者： 山本 雅司 ,  半那 純一
出願人/特許権者： セントラル硝子株式会社
代理人 (1件)： 坂本 栄一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-007218
公開番号（公開出願番号）：特開平7-211653
出願日： 1994年01月26日
公開日（公表日）： 1995年08月11日
要約：

【要約】【目的】 熱CVD法により薄膜デバイスに用いるGe薄膜を基板上に選択的に成膜する。【構成】 GeF4 とシランガス(Sin H2n+2,nは1〜3の整数)を300〜500°Cの温度範囲で、かつ流量比0.006〜0.2の範囲で供給する。

請求項（抜粋）：

GeF4 とシランガス(Sin H2n+2,nは1〜3の整数)の混合ガスを、300〜500°Cの温度範囲でSi基板上に供給することによりGe薄膜を選択的に堆積させることを特徴とするGe薄膜の成膜方法。

IPC (4件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/14 ,  G03G 5/08 317 ,  G03G 5/08 360

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 薄膜の製膜方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-030481   出願人：セントラル硝子株式会社