量子ドット光半導体素子

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：眞鍋潔 , 柏谷昭司 , 渡邊弘一 , 伊藤壽郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-154252
公開番号（公開出願番号）：特開2007-324432
出願日： 2006年06月02日
公開日（公表日）： 2007年12月13日
要約：

【課題】量子ドット光半導体素子に関し、光吸収用量子ドットのサイズを変更することなく、キャリアの捕獲効率を高める。【解決手段】第1の量子ドット1による層から中間層3を隔てて、第1の量子ドット1より横幅が大きく第1の量子ドット1のキャリアに対するエネルギーポテンシャルよりも高いエネルギーポテンシャルを持つ第2の量子ドット2による層を配置し、第1の量子ドット1による層と第2の量子ドット2による層の間隔が第1の量子ドット1の歪みの影響により中間層3の格子間隔が変化している範囲以内とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

中間層と前記中間層よりもバンドギャップの小さい複数の量子ドットによる層とを交互に積層した構造を有する量子ドット光半導体素子であって、第1の量子ドットによる層から前記中間層を隔てて、前記第1の量子ドットより横幅が大きく第1の量子ドットのキャリアに対するエネルギーポテンシャルよりも高いエネルギーポテンシャルを持つ第2の量子ドットによる層を配置し、第1の量子ドットによる層とその上に設ける第2の量子ドットによる層の間隔が第1の量子ドットの歪みの影響により中間層の格子間隔が変化している範囲以内であることを特徴とする量子ドット光半導体素子。

IPC (1件)：

H01L 31/026

FI (1件)：

H01L31/08 L

Fターム (10件)：

5F088AA11 , 5F088AB07 , 5F088BA01 , 5F088BA04 , 5F088CB01 , 5F088CB20 , 5F088DA05 , 5F088DA17 , 5F088GA05 , 5F088LA01

引用特許：

出願人引用 (1件)

赤外線センサ
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-051221 出願人：富士通株式会社

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