特許
J-GLOBAL ID：200903052221895288

3-5族化合物半導体用電極材料とその電極

発明者：
家近 泰

家近 泰 について

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福原 昇

福原 昇 について

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高田 朋幸

高田 朋幸 について

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小野 善伸

小野 善伸 について


出願人/特許権者：
住友化学工業株式会社

住友化学工業株式会社 について


代理人 (1件)： 久保山 隆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-030900
公開番号（公開出願番号）：特開平7-288321
出願日： 1995年02月20日
公開日（公表日）： 1995年10月31日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】p型不純物をドープしたInxGayAlzNで表される3-5族化合物半導体と低接触抵抗を示す電極材料と電極を提供し、低電圧駆動できる発光装置を実現する。【構成】NH3とトリメチルGaとH2及びMgを含む有機ガスを用い、MOVPE法によりGaN系半導体を作製した。サファイアC面を研磨洗浄した基板4をH2中1100°Cに加熱しながらHClガスを流し、炉とサセプタや基板をエッチングした後、さらにH2で洗浄した。次に600°CでGaNバッファ層5を成膜後、1100°CでMgドープしたGaN6を3μm厚さに成膜した。基板を炉より取出しN2中800°C20分アニールしたGaN膜はp型を示し、その膜上にMgとAuを順次電極パターンに真空蒸着した。Au電極の場合アニールの有無によらず内側の円形電極が+になる順方向に4V加えた時電流は約1.4mAであるが、Mgが0.3W%で900°Cアニールの場合3mA、Mg/W%で800°C以上の場合4mAで良い低抵抗電極が得られた。
請求項（抜粋）：
p型不純物をドープした一般式Inx Gay Alz N(ただし、x+y+z=1、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1)で表される3-5族化合物半導体用電極材料であって、Auと、Mg及び/又はZnとを含む合金であることを特徴とする3-5族化合物半導体用電極材料。
IPC (4件)：
H01L 29/43 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 33/00 ,  H01S 3/18
FI (2件)：
H01L 29/46 G ,  H01L 21/88 M
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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