化学的気相析出法による炭化ケイ素の製造方法及び装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：富村潔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-025856
公開番号（公開出願番号）：特開平10-032173
出願日： 1997年01月24日
公開日（公表日）： 1998年02月03日
要約：

【要約】【課題】従来技術よりもプロセスガスを高収量で得られるCVDプロセスによる炭化ケイ素(SiC)の製造方法及び装置を提供する。【解決手段】プロセスガス流2(第1のガス流)から基板4上にCVDプロセスによりSiCを析出する。更にプロセスガス流2を流動方向に完全に囲む希ガスからなる第2のガス流3を形成する。

請求項（抜粋）：

a)ケイ素(Si)及び炭素(C)を供給するための少なくとも1種の作用ガス(SiZ、CY)及び少なくとも1種の担体ガスを含む第1のガス流(2)を基板(4)上に向け、基板(4)上のこの第1のガス流(2)から化学的気相析出(CVD)法により炭化ケイ素を析出し、b)第1のガス流(2)をその流れ方向に平行に実質的に完全に囲む第2のガス流(3)を形成することを特徴とする炭化ケイ素(SiC)の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/205 , C01B 31/36 , C23C 16/32 , C23C 16/44

FI (4件)：

H01L 21/205 , C01B 31/36 A , C23C 16/32 , C23C 16/44 D

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開昭54-106100
特開昭62-070297
特開昭62-037374

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