特許

J-GLOBAL ID：200903018125149008

熱処理装置

発明者： 大加瀬 亘
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社 ,  東京エレクトロン東北株式会社
代理人 (1件)： 井上 一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-351399
公開番号（公開出願番号）：特開平7-201756
出願日： 1993年12月28日
公開日（公表日）： 1995年08月04日
要約：

【要約】【目的】 プロセスガスの濃度を面内で均一化するとともに、面内での温度分布を均一化することができる熱処理装置を提供すること。【構成】 被処理体を水平方向に搬入出するための対向する2つの開口をはさんで上下に分割され、2つの上記開口を結ぶ延長線に対して線対称形状に設定されている上部壁部12、下部壁部14および側壁を備えた処理室16と、処理室外にて上部壁部12の近傍に配置されている面状発熱源26とを備え、処理室16は、上部壁部中心に設けられているプロセスガスの導入部12Bと、導入部12Bと対向して下部壁部中心に設けられているプロセスガスの排出部14Aとを備え、プロセスガスの導入部から側壁に移行する上部壁部の肩部12C、14Cは、被処理体中心から上記肩部内壁に至る距離が、被処理体の周縁部から肩部内壁に至る距離(L)よりも長くなる(L1)ように湾曲面あるいは傾斜面で構成され、かつ、面状発熱源26が肩部12C、14Cの形状に沿って配置されている。

請求項（抜粋）：

被処理体を水平方向に搬入出するための対向する2つの開口をはさんで上下に分割され、2つの上記開口を結ぶ延長線に対して線対称形状に設定されている上部壁部、下部壁部および側壁を備えた処理室と、上記処理室外に配置されている面状発熱源と、を備え、上記処理室は、上部壁部に設けられているプロセスガスの導入部と、上記導入部と対向して下部壁部に設けられているプロセスガスの排出部とを備え、上記プロセスガスの導入部から側壁に移行する上部壁部の肩部は、被処理体中心から上記肩部内壁に至る距離が、被処理体の周縁部から上記肩部内壁に至る距離よりも長くなるように湾曲面あるいは傾斜面で構成され、上記面状発熱源は上記肩部の形状に沿って配置されていることを特徴とする熱処理装置。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/22 511 ,  H01L 21/22

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 熱処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-126688   出願人：東京エレクトロン東北株式会社
• 半導体加工処理用二重ドーム反応器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-043061   出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド