特許

J-GLOBAL ID：200903052250391809

半導体装置およびその製造方法

発明者： 牧田 直樹
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 岡田 和秀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-299720
公開番号（公開出願番号）：特開平9-148245
出願日： 1995年11月17日
公開日（公表日）： 1997年06月06日
要約：

【要約】【課題】非常に高性能で信頼性の高い半導体装置の提供。【解決手段】絶縁表面を有する基板1上に活性領域となる膜2が積層されてなる半導体装置において、活性領域となる膜2は、非晶質ケイ素膜をベースとして結晶化されたもので、結晶粒内のそれぞれの柱状結晶が互いに結合されたほぼ単結晶状態の結晶性ケイ素膜からなる。活性領域となる膜2が単結晶状態であるから、キャリアの移動速度が高速化できるなど、特性が向上する。

請求項（抜粋）：

絶縁表面を有する基板上に活性領域となる膜が積層されてなる半導体装置であって、前記活性領域となる膜は、非晶質ケイ素膜をベースとして結晶化されたもので、結晶粒内のそれぞれの柱状結晶が互いに結合されたほぼ単結晶状態の結晶性ケイ素膜からなる、ことを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 21/20 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/268 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (5件)：

H01L 21/20 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/268 Z ,  H01L 27/12 R ,  H01L 29/78 627 G

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置およびその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-347643   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体装置およびその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-335043   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所