特許

J-GLOBAL ID：200903011749260545

半導体装置およびその作製方法

発明者： 宮永 昭治 ,  大谷 久 ,  山崎 舜平 ,  竹村 保彦
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-335043
公開番号（公開出願番号）：特開平7-231100
出願日： 1994年12月19日
公開日（公表日）： 1995年08月29日
要約：

【要約】【目的】 結晶性の良好な結晶性珪素膜を提供する。【構成】 非晶質珪素膜の結晶化を助長する触媒元素としてニッケル等の元素を用いる。まずこの触媒元素を非晶質珪素膜の表面に接して設け、450°C〜650°Cの温度で加熱処理することにより、結晶核を生成する。そして、前記加熱温度より高い温度でさらに加熱処理をおこなうことにより、結晶粒を成長させ、結晶性の良好な結晶性珪素膜を作製する。

請求項（抜粋）：

結晶性を有する珪素膜を利用して活性領域が絶縁表面を有する基板上に構成された半導体装置であって、前記活性領域は、非晶質珪素膜に接して該珪素膜の結晶化を助長する触媒元素を含む化合物を保持させ、加熱処理による核発生とその後の前記加熱温度よりもさらに高温の熱処理による結晶化により形成されたものであることを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/324 ,  H01L 27/12

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭61-063107
  
• 特開平3-280420
  
• 多結晶半導体薄膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-268469   出願人：ソニー株式会社
• 半導体装置およびその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-329761   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所, シャープ株式会社