特許
J-GLOBAL ID:200903052282531181

両性リポソーム及びその使用

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (9件): 中村 稔 ,  大塚 文昭 ,  熊倉 禎男 ,  宍戸 嘉一 ,  今城 俊夫 ,  小川 信夫 ,  村社 厚夫 ,  西島 孝喜 ,  箱田 篤
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-565572
公開番号(公開出願番号):特表2004-525898
出願日: 2002年02月21日
公開日(公表日): 2004年08月26日
要約:
本発明は、膜固定型又は膜形成型の正電荷担体と負電荷担体とを含む両性リポソーム及び前記リポソームの使用に関する。
請求項(抜粋):
等電点が4〜8である、少なくとも1種の正電荷担体と、該正電荷担体と異なる少なくとも1種の負電荷担体とを含む、両性リポソーム。
IPC (12件):
A61K9/127 ,  A61K9/51 ,  A61K31/7052 ,  A61K31/7105 ,  A61K31/711 ,  A61K38/00 ,  A61K47/14 ,  A61K47/18 ,  A61K47/24 ,  A61K47/28 ,  A61P35/00 ,  C12N15/09
FI (12件):
A61K9/127 ,  A61K9/51 ,  A61K31/7052 ,  A61K31/7105 ,  A61K31/711 ,  A61K47/14 ,  A61K47/18 ,  A61K47/24 ,  A61K47/28 ,  A61P35/00 ,  A61K37/02 ,  C12N15/00 A
Fターム (42件):
4B024AA01 ,  4B024CA01 ,  4B024CA11 ,  4B024GA13 ,  4C076AA19 ,  4C076AA65 ,  4C076BB13 ,  4C076BB21 ,  4C076DD46A ,  4C076DD52A ,  4C076DD63A ,  4C076DD70A ,  4C076FF34 ,  4C076FF63 ,  4C084AA01 ,  4C084BA03 ,  4C084CA62 ,  4C084DC50 ,  4C084MA05 ,  4C084MA24 ,  4C084MA37 ,  4C084MA56 ,  4C084MA66 ,  4C084NA03 ,  4C084NA11 ,  4C084NA12 ,  4C084ZB262 ,  4C086AA01 ,  4C086AA02 ,  4C086EA16 ,  4C086MA01 ,  4C086MA02 ,  4C086MA04 ,  4C086MA05 ,  4C086MA24 ,  4C086MA37 ,  4C086MA56 ,  4C086MA66 ,  4C086NA03 ,  4C086NA11 ,  4C086NA12 ,  4C086ZB26
引用特許:
審査官引用 (4件)
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引用文献:
審査官引用 (3件)

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