特許

J-GLOBAL ID：200903052300021471

p型III族窒化物半導体の製造方法

発明者： 赤崎 勇 ,  天野 浩 ,  山口 栄雄
出願人/特許権者： 科学技術振興事業団
代理人 (1件)： 西 義之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-288550
公開番号（公開出願番号）：特開2000-114596
出願日： 1998年10月09日
公開日（公表日）： 2000年04月21日
要約：

【要約】【課題】 MOVPE法により形成したp型GaN層の正孔キャリア濃度の増大によるキャリア注入の高効率化および抵抗の低減化。【構成】 基板上に設けたバッファ層上に有機金属化合物気相成長法により原料ガスとして少なくともガリウム源のガスと窒素源のガスとp型不純物を含むガスを用いてGaN系半導体を成長させる方法において、p型不純物を含むガスとしてMgを含むガスを用い、これらの原料のキャリアガスとして実質的に窒素ガスを用いるとともにインジウム源のガスを加えて成長温度を800〜1100°Cの範囲として、Mgが不活性化した高抵抗のAl<SB>x</SB> Ga<SB>1-x-y </SB>In<SB>y </SB>N(0≦x≦1,0<y<0.3,x+y<1)膜を形成し、この膜をアニールすることにより正孔キャリア濃度を増大させる

請求項（抜粋）：

基板上に設けたバッファ層上に有機金属化合物気相成長法により原料ガスとして少なくともガリウム源のガスと窒素源のガスとp型不純物を含むガスを用いてGaN系半導体を成長させる方法において、p型不純物を含むガスとしてMgを含むガスを用い、これらの原料のキャリアガスとして実質的に窒素ガスを用いるとともにインジウム源のガスを加えて成長温度を800〜1100°Cの範囲として、Mgが不活性化した高抵抗のAl<SB>x</SB> Ga<SB>1-x-y </SB>In<SB>y</SB> N(0≦x≦1,0<y<0.3,x+y<1)膜を形成し、この膜をアニールすることにより正孔キャリア濃度を増大させることを特徴とするp型族窒化物半導体の製造方法。

Fターム (8件)：

5F041AA21 ,  5F041CA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA73

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-086645   出願人：三菱電線工業株式会社
• 半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-038157   出願人：株式会社東芝