特許
J-GLOBAL ID：200903013277257513
半導体発光素子
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高島 一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-086645
公開番号（公開出願番号）：特開平9-283799
出願日： 1996年04月09日
公開日（公表日）： 1997年10月31日
要約：
【要約】【課題】 活性層の材料にInGaN系材料を用いながら、その結晶性を良好に維持したままでInの組成比を高い値にでき、高輝度な赤色の光を放出させることも可能な発光素子を提供すること。【解決手段】 発光素子のダブルヘテロ接合構造3を構成するn型クラッド層31、活性層32、p型クラッド層33を、全てInGaN系材料によって形成する。これら各層を良好な結晶性とするには、結晶基板1上に、バッファ層2を介して、ダブルヘテロ接合構造3を成長させることが好ましい。結晶基板には、サファイア、6H-SiC、MgAl2 O4 (スピネル)、LiAlO2 、LiGaO2 等が挙げられ、バッファ層には、AlN、GaN、InGaN、AlGaN等が挙げられる。バッファ層とダブルヘテロ接合構造の形成方法は共にMOVPEが好ましい。活性層のInx Ga1-x Nは、0.7≦xで赤色発光が得られる。
請求項（抜粋）：
ダブルヘテロ接合構造を発光部として有し、前記ダブルヘテロ接合構造を構成するp型クラッド層、活性層、n型クラッド層が、全てInGaN系半導体材料によって形成されたものであることを特徴とする半導体発光素子。
引用特許：
前のページに戻る
