特許

J-GLOBAL ID：200903052308571667

光半導体素子及びその製造方法

発明者： 川崎 雅司 ,  鯉沼 秀臣 ,  大友 明 ,  瀬川 勇三郎
出願人/特許権者： 科学技術振興事業団
代理人 (1件)： 清水 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-068978
公開番号（公開出願番号）：特開平10-256673
出願日： 1997年03月07日
公開日（公表日）： 1998年09月25日
要約：

【要約】【課題】 ZnOの温室における紫外光のレーザー発振現象に基づく光半導体素子を提供する。【解決手段】 原子レベルで制御された酸化物エピタキシャル薄膜成長に有効なレーザー分子線エピタキシ-法を用いて、サファイヤc面基板上に作製されたZnO薄膜は、X線ロッキングカーブの半値幅は0.1°と非常に高い結晶性を有している。その薄膜はn型でキャリア密度は4×1017/cm3 である。薄膜作製時の酸素圧力を10-6Torrに固定した条件で作製した薄膜は、原子間力顕微鏡像像に見られるように、ウルツ鉱型の晶癖を反映し、六角柱状のサイズの揃ったナノ結晶が緻密に充填した構造をもつ。一つ一つのナノ結晶上には、一ユニットセル高さ(0.5nm)のステップによるスパイラル構造が見られることから、熱力学的平衡に近い条件で成長していることが示唆される。成長条件の制御により、ナノ結晶の横方向のサイズは50nm〜250nm程度の間で制御できる。

請求項（抜粋）：

光半導体素子において、酸化亜鉛を添加した薄膜を発光層とすることを特徴とする光半導体素子。

IPC (6件)：

H01S 3/18 ,  C09K 11/00 ,  C09K 11/02 ,  C09K 11/08 ,  C09K 11/54 CPB ,  H01L 33/00

FI (6件)：

H01S 3/18 ,  C09K 11/00 A ,  C09K 11/02 A ,  C09K 11/08 A ,  C09K 11/54 CPB ,  H01L 33/00 D