半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：菅野中
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-281440
公開番号（公開出願番号）：特開2000-114232
出願日： 1998年10月02日
公開日（公表日）： 2000年04月21日
要約：

【要約】【課題】再現性良く所望のウェハ膜厚を得る。【解決手段】ウェハ1の裏面側から不純物をイオン注入し、イオン注入によってウェハ1内に形成された不純物層2をエッチングストッパーとして、ウェハ裏面のシリコンをウェットエッチングし、所望のウェハ膜厚を得る。

請求項（抜粋）：

ウェハ裏面側を除去して所望のウェハ膜厚を得る半導体装置の製造方法であって、ウェハの裏面側から不純物をイオン注入し、前記イオン注入によって形成された不純物層をエッチングストッパーとして、ウェハ裏面のシリコンをウェットエッチングすることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/306 , H01L 21/265

FI (2件)：

H01L 21/306 T , H01L 21/265 W

Fターム (6件)：

5F043AA02 , 5F043BB02 , 5F043DD17 , 5F043DD24 , 5F043FF07 , 5F043GG10

引用特許：

審査官引用 (3件)

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