特許

J-GLOBAL ID：200903052376385260

アモルファス「テフロン」(登録商標)のエッチングおよびパターン作成

発明者： チ - チェン チョウ
出願人/特許権者： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド
代理人 (1件)： 浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-290084
公開番号（公開出願番号）：特開平8-144071
出願日： 1994年11月24日
公開日（公表日）： 1996年06月04日
要約：

【要約】【目的】 アモルファス「テフロン」(TFE AF)を有する装置とその製造法を提供する。【構成】 前記TFE AFを有する装置は、基板と、前記基板の上のTFEAF層と、前記TFE AF層の上の半導体層とを有する。この装置は電子装置または光電子装置であることができ、および前記半導体層は金属または他の材料であることができる。

請求項（抜粋）：

(イ) 基板の上にアモルファス「テフロン」(TFE AF)層を被着する段階と、(ロ) 前記TFE AF層を乾式エッチングする段階と、を有する、TFE AF層を装置の中に作成する方法。

IPC (3件)：

C23F 4/00 ,  C09D127/18 PFG ,  H01L 21/302

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 誘電体媒質に開口を作成する方法、基板の上に設けられた誘電率の低い層に開口を作成する方法、多重チップ・モジュールのフルオロカーボン重合体層の上にウィンドウを作成する方法、誘電体層のバイア面の周りに形成された誘電体の稜部を取り除く方法、誘電体層に開口を作成する方法、誘電体オーバレイ、オーバレイ、及び集積回路チップのための回路パッケージ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-013343   出願人：ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ
• 特開平3-175634
  
• 密着層、密着層の形成方法、配線構造および配線構造の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-068570   出願人：沖電気工業株式会社
• 特開昭63-036530