特許

J-GLOBAL ID：200903052380643362

有機薄膜トランジスタ及びその製造方法

発明者： 水上 誠
出願人/特許権者： 日本ビクター株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-040282
公開番号（公開出願番号）：特開2006-228931
出願日： 2005年02月17日
公開日（公表日）： 2006年08月31日
要約：

【課題】 絶縁性を有する基板、ゲート電極、ゲート絶縁層、有機半導体膜、ソース電極、及びドレイン電極によって構成された有機薄膜トランジスタにおいて、十分な移動度とon電流が得られる有機薄膜トランジスタを提供する。【解決手段】 ゲート絶縁層3の表面の2乗平均粗さRmsをゲート絶縁層3とゲート電極2との界面のRmsよりも小さくし、かつ、0.1〜2nmの範囲になるようにゲート電極形成部を陽極酸化することによって、ゲート電極2の表面近傍部のみにゲート絶縁層3が形成された構造にする。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

絶縁性を有する基板と、 この基板の一面側に形成したゲート電極と、 このゲート電極を覆うように形成したゲート絶縁層と、 このゲート絶縁層の表面に形成した有機半導体膜と、 この有機半導体膜に接するように形成したソース電極及びドレイン電極と、 を有する有機薄膜トランジスタにおいて、 前記ゲート絶縁層の表面の2乗平均粗さが、前記ゲート絶縁層と前記ゲート電極との界面の2乗平均粗さよりも小さく、かつ、0.1〜2nmの範囲であることを特徴とする有機薄膜トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 51/05

FI (4件)：

H01L29/78 617T ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 617W ,  H01L29/28

Fターム (32件)：

5F110AA01 ,  5F110AA07 ,  5F110AA18 ,  5F110CC03 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110DD18 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE14 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF24 ,  5F110GG05 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110QQ06

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 電界効果トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-223017   出願人：三菱化学株式会社